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Nitruro de aluminio DBC
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Nitruro de aluminio DBC

AlN combina una excelente conductividad térmica con una buena estabilidad mecánica. Otra ventaja de AlN en comparación con Al2O3 es su coeficiente de expansión térmica, que es más cercano al de silicio, y por lo tanto casi no provoca ningún tipo de tensión térmica en la capa de soldadura entre el chip y el sustrato. Sustratos DBC basados en la cerámica de AlN se utilizan principalmente en aplicaciones con voltajes muy altos operativos en alta resistencia a la descarga parcial y requisitos muy altos de fiabilidad, tales como: unidades de tren, industria aeroespacial, módulos semiconductores industriales con alta densidad de potencia, es un material de sustrato circuito electrónico Importante, también se utilize para cáscara de encapsulación de modulares de alta fuente de alimentación DC/DC, relés de estado sólido y modulares de alta potencia.

Especificaciones de sustrato de AlN DBC

Propiedad

Valor

Modelo

LDAB020

Dimension

(inch x inch)

4.5x4.5

6x6

5.5x7.5

(mm x mm)

114.3x114.3

152.4x152.4

139.7x190.5

Espesor de cerámica(mm)

0.385/0.635/1.0

Espesor de cobre(mm)

0.3

Conductividad térmica de cerámica(25℃, W/(m.k))

20~25

Tipo de cobre

Cu110

Fuerza de pelar el cobre(psi)

>80

Tipo de combinación

Cu/CuO eutéctica

Reflectividad(Mpa)

400-450

nota: Pedido especial se puede personalizar.

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